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芯动联科申请一种三轴MEMS加速度传感器及其Z轴感测单元的制造方法专利制造成本低

  金融界2024年6月25日消息,天眼查知识产权信息显示,安徽芯动联科微系统股份有限公司申请一项名为“一种三轴MEMS加速度传感器及其Z轴感测单元的制造方法”,公开号CN4.2,申请日期为2024年3月。

  专利摘要显示,本发明公开一种三轴MEMS加速度传感器,由X、Y、Z三个独立的感测单元构成,X、Y轴感测单元均由外延多晶硅单独制作;Z轴感测单元由外延多晶硅和下层多晶硅共同制作,下层多晶硅通过Z轴电极锚点固定在衬底上,作为Z轴固定电极,外延多晶硅作为Z轴可动电极,由于MEMS结构只通过支撑锚点与衬底连接,衬底应力对器件的影响较小。其Z轴感测单元的制造方法是先在第一氧化层上形成下层多晶硅图形,再淀积第二氧化层并形成通孔图形,接着通过外延工艺形成外延多晶硅层,再刻蚀外延多晶硅层并加长时间刻蚀通孔多晶硅和下层多晶硅,最后HF腐蚀除去部分第二氧化层和第一氧化层,释放MEMS结构,由于不需要昂贵的SOI圆片,制造成本低。

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