12月17日，国内存储芯片龙头兆易创新通过港交所聆讯，距离实现A+H上市仅一步之遥。这家市值超1400亿元的芯片设计公司，刚刚交出了一份亮眼的成绩单2025年三季度单季营收26.81亿元，净利润5.28亿元，同比增长61.13%。
从年初不到700亿元到如今市值翻番，兆易创新的爆发式增长源于全球存储市场产能转移带来的机遇。创始人朱一明用20年时间布下的战略棋局，正在这轮周期中逐步兑现。但涨价潮过后通常伴随残酷的价格战，能否真正站稳脚跟，还要看接下来的市场表现。
兆易创新此次业绩爆发的根源，在于全球存储市场正在经历产能结构调整。随着AI热潮席卷全球，三星、海力士、美光等存储巨头将大量产能倾注到高带宽内存HBM芯片上，用于支撑大模型训练和高性能计算。
这种战略转移直接挤压了DDR4等成熟制程的产能空间，从2025年二季度开始，海外原厂陆续宣布停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品。
市场需求端却出现相反趋势，AI手机、AI眼镜、AIPC等端侧设备需要更快的芯片读取速度和更大的存储容量，对DDR芯片的需求持续上升。
供需错配直接推动价格上涨，东海证券报告显示，2025年10月，16GB DDR4芯片价格较上月暴涨75.93%，8GB DDR4涨幅达30%左右，甚至出现DDR4价格超过DDR5的“价格倒挂”现象。CFM闪存市场数据显示，2025年上半年全球DRAM综合价格指数飙升47.7%。
兆易创新恰好是国内利基型DRAM市场产能充足的玩家。公司主打DDR4、DDR3L及LPDDR4等系列产品，虽然容量较小、制程相对成熟，但在智能家电、汽车电子等领域需求稳定。
港股招股书显示，2024年公司利基型DRAM收入为1.46亿美元，全球市占率1.7%，排名第七。2025年第三季度，这条业务线%。
公司公告显示，从长鑫科技采购代工生产的DRAM相关产品，2025年预计交易额增至11.61亿元。弗若斯特沙利文预测，2025年至2029年全球专用型存储市场将以7.1%的复合增长率扩张，2029年达208.2亿美元。
兆易创新能够抓住这轮机遇，与创始人朱一明的长期布局密切相关。2005年公司成立时，全球存储市场已被国际巨头牢牢占据。朱一明选择从技术门槛相对较低的NOR Flash入手，2008年发布国内首颗串行闪存产品。
当三星、美光因市场规模有限逐步淡出这一领域时，兆易创新迅速填补空缺，目前在全球NOR Flash市场占有率约18.5%，排名第二。
2016年上市后，兆易创新开始向技术难度更高的DRAM领域进军。朱一明在2018年辞去总经理职务，亲自出任长鑫存储CEO，推动两家公司深度合作。兆易创新采用无晶圆业务模式，产能依赖代工厂，而长鑫科技采用IDM模式，集芯片设计、制造、封测于一体，成为全球第四家能量产20nm以下制程DRAM的厂商。这种合作让兆易创新在产能紧张时期保持稳定出货。
与此同时，兆易创新还横向拓展至MCU领域。2013年进入微控制器市场后，MCU业务已成为第二增长极，2025年上半年实现营收9.59亿元，占比23.11%，同比增速19.1%。产品已进入华为、比亚迪、长安汽车等企业供应链，覆盖动力电池管理、车身控制、智能座舱等场景。
根据2025年上半年财报，存储芯片仍是核心业务，实现收入28.45亿元，占总营收68.55%;整体毛利率为37.21%，其中模拟芯片毛利率达38.98%。
不过，兆易创新的技术水平与国际巨头的差距依然明显。在DRAM领域，三星已量产1纳米制程，兆易创新主力制程仍为19纳米。在MCU市场，国际巨头已量产16nm制程产品，公司主力产品仍基于40-28nm工艺。
2025年上半年公司研发投入约5.68亿元，占营收比例13.6%，低于国际大厂平均水平。从市场格局看，全球DRAM市场仍由三星、海力士、美光三家占据超过90%份额。
值得注意的是，就在通过港交所聆讯前不久，公司于11月21日发布高管减持计划公告，总经理何卫拟减持不超过6.38万股，按12月18日收盘价214.45元/股计算，套现最高达1368万元。
而且芯片行业具有明显的周期性特征，一旦存储巨头高端产能释放完毕转身回到利基市场，或者AI需求降温，公司能否守住当前优势还需观察。
